Jonas Lähnemann
home  |  physik  |  foto-galerie  |  kenia  |  israel  |  flevo-liegerad
Deutsch | English

Jonas Lähnemann
Wissenschaftlicher Mitarbeiter (Post-Doc)

Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik
Berlin, Deutschland


Auf diesen Seiten finden sich:

Informationen zu meinem wissenschaftlichen Werdegang

Fotos, vor allem von Reisen und Auslandsaufenthalten

Berichte von meiner Studienzeit in Kenia

Eindrücke aus der Zeit meines Zivildienstes in Israel

Informationen zu meinem Flevo-Liegerad





Weitere Informationen

Eine Liste hilfreicher Open-source Software. (englisch)

Eine Zusammenfassung der Richtlinien wissenschaftlicher Verlage bezüglich elektronischer Vorabdrucke (preprints). (englisch)

Ausgewählte Veröffentlichungen

J. Lähnemann, et al.
Radial Stark Effect in (In,Ga)N Nanowires
Nano Lett. 16, 917 (2016)
[DOI:10.1021/acs.nanolett.5b03748] [arXiv:1601.07201] [BibTeX] [ACS author link]

J. Lähnemann, et al.
Luminescence associated with stacking faults in GaN (topical review)
J. Phys. D: Appl. Phys. 47, 423001 (2014)
[DOI:10.1088/0022-3727/47/42/423001] [arXiv:1405.1261] [BibTeX]

J. Lähnemann, et al.
Direct experimental determination of the spontaneous polarization of GaN
Phys. Rev. B 86, 081302(R) (2012)
[DOI:10.1103/PhysRevB.86.081302] [arXiv:1201.4294]
[PDF / © APS; download for personal use only] [BibTeX]

U. Jahn, et al.
Luminescence of GaAs nanowires consisting of wurtzite and zinc-blende segments
Phys. Rev. B 85, 045323 (2012)
[DOI:10.1103/PhysRevB.85.045323] [arXiv:1201.6540]
[PDF / © APS; download for personal use only] [BibTeX]

S. C. Erwin, et al.
Epitaxial Interfaces between Crystallographically Mismatched Materials
Phys. Rev. Lett. 107, 026102 (2011)
[DOI:10.1103/PhysRevLett.107.026102] [arXiv:1106.2955]
[PDF / © APS; download for personal use only] [BibTeX]

Weitere Veröffentlichungen



Vorträge

UV photosensing characteristics of nanowire-based GaN/AlN superlattices (contributed talk)
October 2016, International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN), Orlando

UV Photosensing Characteristics of Nanowire Based GaN/AlN Superlattices (invited talk)
May 2016, EMN Meeting on Nanowires, Amsterdam

Dozent bei der International School on Nitride Materials and Devices
January 2016, Bilkent Üniversitesi, Ankara, Turkey

Luminescence associated with stacking faults in GaN (invited talk)
September 2015, 16th conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP XVI), Suzhou, China

GaN/AlN nanowire heterostructures for intersubband applications (contributed talk)
September 2015, 11th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-11), Beijing, China

Weitere Vorträge und Konferenzbeiträge

loading list of my articles on arXiv.org ...
Copyleft 2000-2017 by Jonas Lähnemann
Impressum / legal notice

Creative Commons License
unless stated otherwise