Jonas Lähnemann
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Jonas Lähnemann
Wissenschaftlicher Mitarbeiter (Post-Doc)

Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik
Berlin, Deutschland


Auf diesen Seiten finden sich:

Informationen zu meinem wissenschaftlichen Werdegang

Fotos, vor allem von Reisen und Auslandsaufenthalten

Berichte von meiner Studienzeit in Kenia

Eindrücke aus der Zeit meines Zivildienstes in Israel

Informationen zu meinem Flevo-Liegerad





Weitere Informationen

Eine Liste hilfreicher Open-source Software. (englisch)

Eine Zusammenfassung der Richtlinien wissenschaftlicher Verlage bezüglich elektronischer Vorabdrucke (preprints). (englisch)

Ausgewählte Veröffentlichungen

J. Lähnemann, et al.
Correlated nanoscale analysis of the emission from wurtzite versus zincblende (In,Ga)As/GaAs nanowire core-shell quantum wells
Nano Lett. 19, 4448 (2019)
[DOI:10.1021/acs.nanolett.9b01241] [arXiv:1903.07372] [BibTeX] [ACS author link]

Near- and mid-infrared intersubband absorption in top-down GaN/AlN nano- and micropillars
Nanotechnology 30, 054002 (2019)
[DOI:10.1088/1361-6528/aaef72] [arXiv:1805.08999] [BibTeX]

P. Vogt, et al.
Metal-Exchange Catalysis in the Growth of Sesquioxides: Towards Heterostructures of Transparent Oxide Semiconductors
Phys. Rev. Lett. 119, 196001 (2017)
[DOI:10.1103/PhysRevLett.119.196001] [BibTeX]
[PDF / © APS; download for personal use only]

J. Lähnemann, et al.
Near-infrared intersubband photodetection in GaN/AlN nanowires
Nano Lett. 17, 6954 (2017)
[DOI:10.1021/acs.nanolett.7b03414] [arXiv:1710.00871] [BibTeX] [ACS author link]

J. Lähnemann, et al.
Luminescence associated with stacking faults in GaN (topical review)
J. Phys. D: Appl. Phys. 47, 423001 (2014)
[DOI:10.1088/0022-3727/47/42/423001] [arXiv:1405.1261] [BibTeX]

J. Lähnemann, et al.
Direct experimental determination of the spontaneous polarization of GaN
Phys. Rev. B 86, 081302(R) (2012)
[DOI:10.1103/PhysRevB.86.081302] [arXiv:1201.4294]
[PDF / © APS; download for personal use only] [BibTeX]

Weitere Veröffentlichungen



Vorträge

Determination of the carrier diffusion length in GaN from cathodoluminescence maps around threading dislocations: fallacies and opportunities (seminar talk)
January 2020, Gruppenseminar AG Kneissl, Technische Universität Berlin, Berlin, Germany

Circumferential and One-sided (In,Ga)N Shells on GaN Nanowires: From Self-assembled to Ordered Arrays (invited talk)
June 2019, PDI Topical Workshop on Epitaxial III-Nitride Semicodunctor Nanowires, Berlin, Germany

(In,Ga)As/GaAs core-shell quantum wells in zincblende versus wurtzite nanowire segments (seminar talk)
October 2018, Scientific Advisory Board Meeting of the Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Berlin, Germany

Emission properties of (In,Ga)As shell quantum wells in zincblende versus wurtzite nanowire segments (invited talk)
April 2018, PDI Topical Workshop on Cathodoluminescence of Semiconductor Nanostructures, Berlin, Germany

Dozent bei der International School on Nitride Materials and Devices
January 2016, Bilkent Üniversitesi, Ankara, Turkey

Weitere Vorträge und Konferenzbeiträge

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