Jonas Lähnemann
Wissenschaftlicher Mitarbeiter (Senior Scientist)
Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik
Berlin, Deutschland
Auf diesen Seiten finden sich:
 Informationen zu meinem wissenschaftlichen Werdegang
Fotos, vor allem von Reisen und Auslandsaufenthalten
Berichte von meiner Studienzeit in Kenia
Eindrücke aus der Zeit meines Zivildienstes in Israel
Informationen zu meinem Flevo-Liegerad
Weitere Informationen
Eine Liste hilfreicher Open-source Software. (englisch)
Eine Zusammenfassung der Richtlinien wissenschaftlicher Verlage bezüglich elektronischer Vorabdrucke (preprints). (englisch)
|
|
 |
Ausgewählte Veröffentlichungen
J. Lähnemann, et al.
Carrier Diffusion in GaN: A Cathodoluminescence Study. III. Nature of Nonradiative Recombination at Threading Dislocations
Phys. Rev. Appl. 17, 024019 (2022)
[DOI:10.1103/PhysRevApplied.17.024019] [arXiv:2009.14634] [BibTeX] [PDF / © APS; download for personal use only]
J. Lähnemann, et al.
Correlated nanoscale analysis of the emission from wurtzite versus zincblende (In,Ga)As/GaAs nanowire core-shell quantum wells
Nano Lett. 19, 4448 (2019)
[DOI:10.1021/acs.nanolett.9b01241]
[arXiv:1903.07372] [BibTeX] [ACS author link]
J. Lähnemann, et al.
Near-infrared intersubband photodetection in GaN/AlN nanowires
Nano Lett. 17, 6954 (2017)
[DOI:10.1021/acs.nanolett.7b03414] [arXiv:1710.00871] [BibTeX] [ACS author link]
J. Lähnemann, et al.
Luminescence associated with stacking faults in GaN (topical review)
J. Phys. D: Appl. Phys. 47, 423001 (2014)
[DOI:10.1088/0022-3727/47/42/423001] [arXiv:1405.1261] [BibTeX]
J. Lähnemann, et al.
Direct experimental determination of the spontaneous polarization of GaN
Phys. Rev. B 86, 081302(R) (2012)
[DOI:10.1103/PhysRevB.86.081302] [arXiv:1201.4294]
[PDF / © APS; download for personal use only] [BibTeX]
Weitere Veröffentlichungen
Vorträge
Emission properties of quantum well shells on zincblende and wurtzite nanowire segments (invited talk)
September 2021, European Materials Research Society (EMRS) Fall Meeting, Warsaw, Poland
Revisiting the determination of the carrier diffusion length in GaN from cathodoluminescence spectroscopy (seminar talk)
May 2021, Strathclyde University & University of Cambridge, UK
Determination of the carrier diffusion length in GaN from cathodoluminescence maps around threading dislocations: fallacies and opportunities (seminar talk)
January 2020, Gruppenseminar AG Kneissl, Technische Universität Berlin, Berlin, Germany
Circumferential and One-sided (In,Ga)N Shells on GaN Nanowires: From Self-assembled to Ordered Arrays (invited talk)
June 2019, PDI Topical Workshop on Epitaxial III-Nitride Semicodunctor Nanowires, Berlin, Germany
(In,Ga)As/GaAs core-shell quantum wells in zincblende versus wurtzite nanowire segments (seminar talk)
October 2018, Scientific Advisory Board Meeting of the Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Berlin, Germany
Weitere Vorträge und Konferenzbeiträge
|
